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导师简介-陈译

 

 

 

技术职称: 讲师

所获学位: 博士

研究方向: 功率半导体器件材料与器件

电子邮箱:fuz_extend@163.com

个人简介:

陈译,男,博士,光电与通信工程学院(微电子学院)讲师;毕业于日本国立琉球大学,获得材料·器件工学博士。20102017,就职于日本三垦电气株式会社,从事功率器件研发;20179月到光电与通信工程学院工作。

研究领域

三代化合物半导体SiCGaN

超结MOSFET、分裂栅型场效应管SGT-MOSFTE、IGBT

半导体工艺流程设计

主持科研项目情况:

1. 福建省自然科学基金项目,福建省面上项目,2019J01875,逆导型绝缘栅晶体管负阻效应的物理机制与新结构研究,2019-07至2022-07,10万元,在研,主持

2. 教材建设基金资助项目,校级项目,30118033,芯片制造-半导体工艺与设备,2018-06至2020-06,4.8万元,在研,主持

3. 厦门市留学人员科研项目,市厅级项目,C2018060,逆导型绝缘栅晶体管负阻效应的物理机制,2018-12至2021-12,5万元,在研,主持

4. 厦门市科技计划项目,市厅级项目,3502Z20183061,Mosfet 超级结mos(Super Junction),2018-06至2021-06,11万元,在研,主持

5. 厦门理工学院高层次人才项目,校级项目,G2017002,激光退火技术在低耐压功率金属氧化物场效应晶体管生产工艺中的应用,2017-09至2020-09,10万元,在研,主持

代表性研究成果和学术奖励情况

[1] Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio MAZZAMUTO and Karim HUET, “Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET”, Jap. J. Appl. Phys., Vol. 55, No. 8, 2016.

[2] Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, “An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs”, IEICE, Volume and Number: Vol. E99-C, No.5, pp.516-521.

[3] Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, “An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Planar Power MOSFETs”, IEICE, Volume and Number: Vol., Vol. E99-C, No.5, pp.601-603.

[4] J. D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, and T. Itoh, “Structural Characterization of Sputtered Si Thin Films after RTA for AMOLED”, Jap. J. Appl. Phys., 121302-1, 2010.

[5] Takashi Noguchi, Yi Chen, Tomoyuki Miyahira, Jean de Dieu Mugiraneza, Yoshiaki Ogino, Yasuhiro Iida, Eiji, “Advanced Micro-Polycrystalline Silicon Films Formed by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing”, Jap. J. Appl. Phys, p.03CA10-(1-3), 2010.

授权发明专利

1) 陈译; 一种屏蔽栅功率器件的制备方法, 2018-12-3, 中国, 201810794418.2.

2) 陈译; 一种能抑制沟道迁移率低下的IGBT新结构的制备方法, 2018-12-3, 中国, 201810794649.3.

3) 陈译; 一种沟槽超级势垒整流器及其制备方法, 2019-6-17, 中国, 201910152821.X.

4) 陈译; 一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造, 2020-4-8, 中国, 202010053742.6. (专利)

2017年以前

专利名称

专利号

专业领域

专利权人排名

专利授权国

半导体装置

JP2017045527

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2017045530

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2017045539

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

CN204497237U

半导体制造工艺领域

1

中国

半导体装置

JP2014145906

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2016043344

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置及制造方法

JP-E25-084

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置及制造方法

JP-E25-085

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置及制造方法

JP-E26-105

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

CN204497238U

半导体制造工艺领域

1

中国

半导体装置

JP2014145931

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2015109272

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2015109281

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2015173752

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2016041663

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2016230590

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2015173771

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2014229390

半导体制造工艺领域

1

日本

半导体装置

JP2015051699

半导体制造工艺领域

1

日本

 

 

更新时间:2020-09-18  【打印此页】  【关闭
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