导师简介-蔡丽娥

技术职称：副教授

学位：博士

电子邮箱： 312909746@qq.com，liecai@xmut.edu.cn

办公室：综合大楼1711

研究方向：宽禁带半导体材料光电子和功率器件及其TCAD仿真

1、发光器件 2、功率器件GaN FET  

教育经历：

1、1995.09-1999.06 闽南师范大学，物理教育，本科

2、2006.09-2011.07 厦门大学，微电子学与固体电子学专业，工学博士

科研经历:

长期从事宽禁带半导体材料、发光器件和功率器件的研究工作。主持福建省自然科学基金、厦门市科技基金、福建省教育厅A类项目、校企合作项目等课题。入选厦门市高层次人才（C类），申请发明专利6项，获授权实用新型专利3项，已在SCI收录期刊发表论文三十多篇。所指导的研究生获得厦门理工学院优秀硕士学位论文2次。近年研究生毕业继续攻读博士学位1人，其余就业于高新技术科技公司。

科研项目：

[1]福建省自然科学基金面上项目（2023J011458）10万，主持。

[2]厦门市科技计划产学研合作项目（2023CXY0421）32万，主持。

[3]企业联合研发，增强型高迁移率晶体管结构设计（ZK-HX22149）20万，主持。

[4]企业联合研发，紫外发光器件结构设计研发（ZK-HX22078）100万，主持。

[5]企业联合，半导体器件发光特性关键技术研发（ZK-HX200907） 20万，主持。

[6]福建省教育厅A类重点项目，用于GaN基发光器件的谐振腔研究（JA12249），主持。

[7]厦门理工学院高层次人才项目，谐振腔对发光二极管性能的影响（YKJ11026R）,主持。

[8]国家自然科学基金，具有铜电极的氧化物TFT中的铜原子扩散及其抑制方法研究，参与。

[9]国家自然科学基金，硅基红外焦平面器件的原位纳米横向生长应变复合衬底研究，参与。

代表性学术论著:

[1] Xiang-Yu Liu, Li-E Cai*, Yi-Fei Chen, et al., Simulation Study of Enhancement-Mode HEMTs with Graded AlGaN Barriers and GaN/InGaN Double Quantum Well Caps，Semiconductors.  (SCI已接收)

[2] Cai, L.-E*.; Chen, Y.-F.; Ma, Z.-Y.; et al., Research on High Threshold Voltage, High Output Current and Low Gate Leakage Current p-GaN and Grooved Gate Composite Gate HEMT with N-Well and AlGaN–GaN–AlGaN Double Barrier Cap Layer. J. Electron. Mater. 2026, 55 (1), 1177–1190. （SCI收录）

[3] Sun, C.-T.; Cai, L.-E*.; Chen, Y.-F.; et al., GaN-Based High Electron Mobility Transistor with Trench-Composite Gate and Asymmetric InAlN/AlGaN Barriers. Semiconductors 2025, 59 (10), 1098–1111. （SCI收录）

[4] Chen, Y.-F.; Cai, L.-E*.; Niu, K.; et al., Research on High-Threshold-Voltage InAlN/GaN HEMTs with p-GaN Caps and Trench Gates with InGaN Buried Layers. J. Electron. Mater. 2025, 54 (8), 6847–6857.    （SCI收录）

[5] Niu, K.; Lin, H.-X.; Cai, L.-E*.; et al., Enhanced High Electron Mobility Transistor Featuring a Lattice Matched AlInGaN/GaN Heterojunction and Composite Gate Structure. AIP Adv. 2025, 15 (3), 035344.（SCI收录）

[6] Niu, K.; Lin, H.-X.; Cai, L.-E*.; et al., Enhancement-Mode AlInGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor with p–i–n Junction and Recessed Gate. Phys. Status Solidi A 2025, 222(20), 2400913. （SCI收录）

[7] Xu, C.; Cai, L*.; Chen, Z.; et al.,Performance Enhancement of InGaN Based near Ultraviolet LEDs with Asymmetric Staggered Quantum Wells. Opt. Quantum Electron. 2024, 56 (2), 133. （SCI收录）

[8] Chen, Z.; Cai, L*.; Niu, K.; et al., Research on a High-Threshold-Voltage AlGaN/GaN HEMT with P-GaN Cap and Recessed Gate in Combination with Graded AlGaN Barrier Layer. J. Electron. Mater. 2024, 53 (5), 2533–2543.（SCI收录）

[9] Xu, C.; Cai, L*.; Zheng, J.; et al., The Effect of Different AlGaN Insertion Layer Thicknesses on the Photoelectric Properties of InGaN/AlGaN near UV Light Emitting Diodes. Results Phys. 2023, 55, 107111. （SCI收录）

[10] Ren, P.-P.; Lin, H.-X.; Cai, L.-E*.; et al., Performance of Improvement of AlGaN‐Based Deep UV Light‐Emitting Diode with Two Parts Linearly Graded Barriers. Phys. Status Solidi A 2023, 220 (15), 2300276. （SCI收录））

[11] Cai, L.-E*.; Xu, C.-Z.; Lin, H.-X.; et al., Improved Performance of InGaN/AlGaN Multiple‐Quantum‐Well Near‐UV Light‐Emitting Diodes with Convex Barriers and Staggered Wells. Phys. Status Solidi A 2022, 219 (19), 2200316. （SCI收录）

[12] Cai, L.-E*.; Zhang, B.-P.; Lin, H.-X.; et al., Effect of Barrier Thickness on Photoelectric Properties of InGaN/GaN Asymmetric Multiple-Quantum-Well Structure Light-Emitting Diode. AIP Adv. 2022, 12 (6), 065007.  （SCI收录）

[13] Cai, L.-E*.; Xu, C.-Z.; Xiong, F.-B.; et al., Improved Carrier Confinement and Distribution in InGaN Light-Emitting Diodes with Three-Layer Staggered QWs. AIP Adv. 2021, 11 (7), 075027. （SCI收录）

[14] 许潮之, 蔡丽娥*,等. InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质改善的物理机制[J].厦门理工学院学报,2021,29(03):37-42.

发明专利：  

[1]蔡丽娥, 陈逸飞; 一种带有InGaN插层和双势垒帽层的高电子迁移率晶体管及其制备方法（RZ2025I2544）,专利号：202512034314.4

[2]蔡丽娥;牛凯等：一种AlInGaN势垒层增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法,专利号：202410850436.3

实用新型专利：

[1]蔡丽娥，黄金满，陈志超； 一种混合栅型 GaN 基的高电子迁移率晶体管，专利号：ZL202222280818.6。

[2]蔡丽娥，黄金满，黄国伟，朱海安，林世光；一种锂电材料自动输送装置，专利号：ZL201822008264.8。

近年研究生去向：