导师简介-陈译

技术职称： 讲师

所获学位： 博士

研究方向： 功率半导体器件材料与器件

电子邮箱：fuz_extend@163.com

个人简介:

陈译，男，博士，光电与通信工程学院（微电子学院）讲师；毕业于日本国立琉球大学，获得材料·器件工学博士。2010至2017，就职于日本三垦电气株式会社，从事功率器件研发；2017年9月到光电与通信工程学院工作。

研究领域

・第三代化合物半导体SiC，GaN

・超结MOSFET、分裂栅型场效应管SGT-MOSFTE、IGBT

・半导体工艺流程设计

主持科研项目情况：

1. 福建省自然科学基金项目，福建省面上项目，2019J01875，逆导型绝缘栅晶体管负阻效应的物理机制与新结构研究，2019-07至2022-07，10万元，在研，主持

2. 教材建设基金资助项目，校级项目，30118033，芯片制造-半导体工艺与设备，2018-06至2020-06，4.8万元，在研，主持

3. 厦门市留学人员科研项目，市厅级项目，C2018060，逆导型绝缘栅晶体管负阻效应的物理机制，2018-12至2021-12，5万元，在研，主持

4. 厦门市科技计划项目，市厅级项目，3502Z20183061，Mosfet 超级结mos（Super Junction），2018-06至2021-06，11万元，在研，主持

5. 厦门理工学院高层次人才项目，校级项目，G2017002，激光退火技术在低耐压功率金属氧化物场效应晶体管生产工艺中的应用，2017-09至2020-09，10万元，在研，主持

代表性研究成果和学术奖励情况

[1] Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio MAZZAMUTO and Karim HUET, “Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET”, Jap. J. Appl. Phys., Vol. 55, No. 8, 2016.

[2] Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, “An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs”, IEICE, Volume and Number: Vol. E99-C, No.5, pp.516-521.

[3] Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, “An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Planar Power MOSFETs”, IEICE, Volume and Number: Vol., Vol. E99-C, No.5, pp.601-603.

[4] J. D. Mugiraneza, T. Miyahira, A. Sakamoto, Y. Chen, T. Okada, T. Noguchi, and T. Itoh, “Structural Characterization of Sputtered Si Thin Films after RTA for AMOLED”, Jap. J. Appl. Phys., 121302-1, 2010.

[5] Takashi Noguchi, Yi Chen, Tomoyuki Miyahira, Jean de Dieu Mugiraneza, Yoshiaki Ogino, Yasuhiro Iida, Eiji, “Advanced Micro-Polycrystalline Silicon Films Formed by Blue-Multi-Laser-Diode Annealing”, Jap. J. Appl. Phys, p.03CA10-(1-3), 2010.

授权发明专利

1) 陈译; 一种屏蔽栅功率器件的制备方法, 2018-12-3, 中国, 201810794418.2.

2) 陈译; 一种能抑制沟道迁移率低下的IGBT新结构的制备方法, 2018-12-3, 中国, 201810794649.3.

3) 陈译; 一种沟槽超级势垒整流器及其制备方法, 2019-6-17, 中国, 201910152821.X.

4) 陈译; 一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造, 2020-4-8, 中国, 202010053742.6. (专利)

2017年以前