技术职称：副教授
所获学位：工学博士
研究方向：氧化镓器件设计与制备工艺，电力电子器件设计与可靠性
电子邮箱：hp_zhang@163.com
个人简介：
张弘鹏，博士、副教授、硕士生导师、福建省高层次C类人才、厦门市高层次C类人才。博士毕业于西安电子科技大学，现任职厦门理工学院的光电与通信工程学院，主要从事超宽禁带半导体器件领域研究，已主持1项国家自然科学基金、 1项福建省教育厅项目、1项厦门市科技计划及多项横向，参与完成多项国家自然科学基金；在IEEE TPE，IEEE TED，ASS，JPD，ECS J.Solid State Sci和中国科学等期刊发表论文20篇，其中SCI论文10余篇，ESI高被引论文1篇、IOP出版社高被引论文1篇；授权发明专利9项。超宽禁带半导体由于宽带隙、高击穿场强和饱和漂移速度等特性适用于面向大功率应用的功率电子器件，在超高压电能转换、轨道交通、新能源汽车、雷达探测等领域有良好的应用前景，可有效提升电力电子系统性能与能源转换效率，在支撑国家“碳中和、碳达峰”战略和节能减排战略中都发挥着关键的作用。
研究领域：
招生专业：电子信息(集成电路工程)，硕士招生指标:1-2名/年，实验室具备良好的软硬件条件，
欢迎对该领域科研感兴趣的硕士生或本科生加入！欢迎同行沟通、交流与合作！
教育背景
l 2018/09 - 2021/09, 西安电子科技大学-电子科学与技术，博士
l 2015/09 - 2018/06, 西安电子科技大学-集成电路工程， 硕士
l 2011/09 - 2015/06, 杭州电子科技大学-电子信息工程， 学士
工作经历
l 2025/12 - 至今, 厦门理工学院，光电与通信工程学院, 副教授
l 2022/03 - 2025/12, 厦门理工学院，光电与通信工程学院, 讲师
l 2021/10 - 2022/01, 厦门三安集成电路有限公司,GaN部门，研发工程师(TD)
荣誉奖项
l 2026年 获美国电化学协会 Bruce Deal and Andy Grove Young Author Award
l 2025年 获厦门理工学院 2025年度校优秀教师（教育工作者）
l 2025年 获厦门理工学院 2023-2025年度校“工会积极分子”
l 2025年 获厦门理工学院 第十八届青年教师教学竞赛 三等奖
l 2024年 获厦门理工学院 第十七届青年教师教学竞赛 三等奖
l 2020年 获教育部 博士研究生国家奖学金
l 2018年 获西安电子科技大学 校“优秀硕士论文”、“优秀硕士毕业生”
科研项目
l 国家自然科学基金青年项目(C类),基于臭氧增强技术的PtOx/HfAlO/β-Ga2O3 MOS阈值调控机理研究，30万元，主持，在研.
l 国自然联合基金，基于异质结终端结构的新型垂直结构氧化镓功率MOSFET研究，260万元，参与，在研.
l 国自然面上项目,新型Ga2O3/SiC异质结增强型功率MOSFET研究,63万元,参与，结题.
l 福建省教育厅项目,基于氧化镓功率器件的新型表面钝化技术研究,1万元,主持,在研.
l 厦门市自然科学基金,基于宽禁带半导体氧化镓的新型器件钝化工艺研究，主持,在研.……
教研项目
l 第二批智慧课程建设, 半导体分析测试技术, 校级,主持,在研.
l 研究生教育精品课程建设, 宽禁带化合物半导体材料与器件, 校级,主持,在研.
l 大学生创新创业训练计划项目, 国家级2项, 第一指导老师， 已结题，2024.
l 大学生创新创业训练计划项目, 国家级1项，第一指导老师， 已结题，2025.
l 大学生创新创业训练计划项目, 国家级1项，第一指导老师， 在研， 2026.
l 研究生科技创新计划项目, 校级4项， 第一指导老师， 在研， 2025.
发表论文
Spectroscopic Calculation of Band Alignment Between High Permittivity Composites ZrSiO, AlSiO and β-Ga2O3. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2025. (获Bruce Deal and Andy Grove Young Author Award)
Analytical Models and Simulations Analysis of β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes.中国科学:物理学 力学 天文学, 2023. (中科院1区)
Study on self heating effect of enhancement-mode Ga2O3 vertical MOSFET.中国科学:物理学 力学 天文学, 2022. (中科院1区)
Analytical Model and Structure of the Multi-layer Enhancement-mode β-Ga2O3 Planar MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021. (中科院2区/发表年)
Fast-response self-powered solar-blind photodetector based on Pt/Ga2O3 Schottky barrier diodes, Optik, 2021. (中科院3区/发表年)
Progress of ultra-wide band-gap Ga2O3 semiconductor materials in power MOSFETs.IEEE Transactions on Power Electronics,2020(ESI高被引论文,中科院1区Top/发表年)
Influence of metal gate electrodes on electrical properties of atomic-layer-deposited Al-rich HfAlO/Ga2O3 MOSCAPs.IEEE Transactions on Electron Devices,2020.(中科院2区Top/发表年)
Stress-induced charge trapping and electrical properties of atomic-layer-deposited HfAlO/Ga2O3 metal–oxide–semiconductor capacitors. Journal of Physics D: Applied Physics, 2019.(中科院3区/发表年)
Energy-band alignment of (HfO2)x(Al2O3)1-x gate dielectrics deposited by atomic layer deposition on β-Ga2O3 (-201). Applied Surface Science, 2018. (中科院 2区Top/发表年)
Leakage current conduction mechanisms and electrical properties of atomic-layer-deposited HfO2/Ga2O3 MOS capacitors. Journal of Physics D: Applied Physics,2018.(IOP高被引论文,中科院 2区/发表年)
授权发明专利
基于 Ga2O3材料的复合型双栅高速 PMOS 器件及其制备方法,2016
基于 P 型 Ga2O3 材料的复合型双栅 NMOS 器件及其制备方法,2016
基于 Ga2O3 材料的帽层复合双栅 PMOSFET 及其制备方法,2016
基于 Ga2O3 材料的帽层复合双栅 NMOSFET 及其制备方法,2016
基于 Ga2O3/SiC 异质结构的光电 NPN 晶体管及其制备方法,2016
基于 Ir2O3/ Ga2O3 的深紫外 APD 探测二极管及其制作方法,2016
基于双异质结的 Ga2O3/GaN/SiC 光电探测二极管及其制备方法,2016
Method For Manufacturing Ultraviolet Photodetector Based On Ga2O3 Material,2017(国际专利)
基于(InxGa1-x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法,2018
